1单极（unipolar）型器件即场效应晶体管是三端器件的另一种形式，它象双极型晶体管那样具有功率增益和电子开关功能，但是其工作原理却完全不同,双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型什么是双极基二极管,“双极基二极管”不是二极管，正式名称是单结晶体管。
“双极基二极管”不是二极管，正式名称是单结晶体管。单结晶体管是只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成PN结作为发射极。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路
1单极（unipolar）型器件即场效应晶体管是三端器件的另一种形式，它象双极型晶体管那样具有功率增益和电子开关功能，但是其工作原理却完全不同。单极型场效应晶体管应用广泛，尤其是在数字集成电路、电子存贮器以及放大电路中。由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见
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