较低的压降，转换成一个低VCE的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图逆变器三极管上面写的KW40N120K是什么意思,k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗,40N150是40A/1500V,而40N120是40A/1200V。
三相逆变等应用的目的就是功率变换，ACDC、DCAC、ACAC、DCDC，既然是转换那么重要指标的就是品质和效率。影响品质的因素，例如开关频率、开关速度、频谱特性等；影响效率的因素，除开关速度之外，还有压降等关系损耗的参数等。因此就要求功率器件具有更快的开关速度、更好的频谱特性、更低的压降和开关损耗。MOSFET、IGBT都是压控器件，三极管是流控器件，自身的损耗一定更大、开关速度更慢
参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。扩展资料IGBT工作方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率。因而造成功率MOSFET具有RDS数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图
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