1、当晶闸管的阳极A和阴极C之间加直流电压，控制极和阴极之间加直流电压时，晶闸管处于导通状态；但至少电压大于管压降，阴阳极电压一般为0.6~1.2v；2、导通性是其电流由管上串联的负载电阻决定，I=u/r；3.阻断时要承受的电压是由晶闸管本身的参数决定的，也就是像普通三极管一样，VCEs之间的电压是几十V，一点几千V，比如排管几千V,2.对于纯电阻电路，I=u/R.电路中电流的强度由导体的电阻和导体两端的电压决定,三极管可以放大电压和电流,电流大小的决定因素:1。
电流大小的决定因素:1。根据电流 in P=UII=P/U电路，强度由电器的实际功率和电器两端的电压决定。2.对于纯电阻电路，I = u/R .电路中电流的强度由导体的电阻和导体两端的电压决定。3.对于纯电阻电路，I=E/。电流在电路中的强度是由电源的电动势、外电路的总电阻和电源的内阻决定的。
导线的载流量首先要考虑导线的材质，其次是导线的敷设方式，最后是导线的护套和使用环境温度。比如一根1.5平方的铜导线，敷设明线的安全载流量是22A，但敷设多根管的安全载流量是16~20A，也就是说环境温度在35度以下。当环境温度高于35度时，必须乘以低于1的安全系数。具体系数请参考手册。
1、当晶闸管的阳极A和阴极C之间加直流电压，控制极和阴极之间加直流电压时，晶闸管处于导通状态；但至少电压大于管压降，阴阳极电压一般为0.6 ~ 1.2v；2、导通性是其电流由管上串联的负载电阻决定，I = u/r；3.阻断时要承受的电压是由晶闸管本身的参数决定的，也就是像普通三极管一样，VCEs之间的电压是几十V，一点几千V，比如排管几千V。
4、在特定工艺下,NMOS增强晶体管的饱和 电流由什么决定!!!晶体管的沟道夹断后，漏极电流饱和。当漏极电流等式中的源漏电压等于饱和电压时，饱和漏极电流给定；可以看出，饱和漏极电流主要取决于沟道的宽长比(越大越好)、沟道的掺杂浓度(越大越好)和沟道的电子迁移率(越大越好)。在特定工艺下，沟道掺杂浓度和迁移率已经确定，唯一可以调整的因素就是沟道长宽比。
5、三极管起到放大什么的作用?是 电流还是电压?1。三极管可以放大电压和电流。2.三极管作用的确定:a .只要看采用什么形式的放大电路，三极管放大器有共发射极、共基极、共集电极三种。前两种用于电压放大，后一种是电流放大。b、放大的信号源比如一个MP3输出信号需要电压放大和电流同时放大才能通过扬声器听音乐。先进行电压放大(MP3毫伏信号输入到前一级共发射极放大器，经过2-3级电压放大后电压电平达到1-2伏)，然后送到共集电极。3.两者的区别:电流放大器放大时也有功放功能电流，而电压放大器没有功放功能。
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