3.可见光光敏电阻:包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻等,当光敏电阻器点亮时，它显示低电阻,光敏电阻不亮时，表示电阻高,原理分析:左图中的R1与光敏电阻N1串联，与LM393比较器组成测光电路,紫外线光敏电阻:对紫外线敏感，包括硫化镉、硒化镉光敏电阻等,按半导体材料:本征型光敏电阻，掺杂型光敏电阻。
1。按半导体材料:本征型光敏电阻，掺杂型光敏电阻。后者性能稳定，特性好，所以多采用。2.根据光敏电阻的频谱特性，可以分为三种:1。紫外线光敏电阻:对紫外线敏感，包括硫化镉、硒化镉光敏电阻等。2.红外光敏电阻:主要是硫化铅、碲化铅、硒化铅。铟锑等光敏电阻器广泛应用于国防、科研和工农业生产，如导弹制导、天文探测、非接触测量、人体疾病检测、红外光谱、红外通信等。3.可见光光敏电阻:包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻等。主要应用于各种光电控制系统中，如光电自动开关门、导航灯、路灯等照明系统的自动开关、自动供水止水装置、机械自动保护装置和“位置检测器”、极薄零件厚度检测器、自动相机曝光装置、光电计数器、烟雾报警器、光电跟踪系统等。
目的是提供外部并联条件，同时还具有隔离和信号放大的作用，以提高ESD防护水平，避免ESD干扰对内部MOS的损伤。没看到所有输入输出都用非门ESD保护，同时也是放大功能。电荷耦合器件(CCD)是用于探测光的硅片，半导体势阱由时钟脉冲电压产生和控制。电荷耦合器件是由W.S .博伊尔和G.E .史密斯于1969年在贝尔实验室发明的。它由一组规则排列的金属氧化物半导体(MOS)电容阵列和输入输出电路组成。电荷耦合器件(CCD)用电荷的多少来表示不同状态的动态移位寄存器，比传统底片更能灵敏地探测到光线的变化。
原理分析:左图中的R1与光敏电阻N1串联，与LM393比较器组成测光电路。分压点AC连接到比较器的非反相输入引脚3，右图中的分压点R2连接到反相输入引脚2 in用于电位比较。光敏电阻不亮时，表示电阻高。引脚6输出高电平，LED D2熄灭。当光敏电阻器点亮时，它显示低电阻。如果交流端的电位低于预设的电位in，引脚6输出低电平，LED D2点亮。左边的电容C2用于滤除干扰波动，提高电路稳定性。右边，D1是电源指示灯，R5是比较器输出上拉电阻。
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