GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小,它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点,IGBT是一种绝缘栅双极晶体管，是由BJT和MOS构成的全控压驱动功率半导体器件,测量前，将三个管脚短接(放电)，用红笔接C极，黑笔接E极，测量指针表1档Gc和ge的电阻值到无穷大。
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1、什么是 igbtIGBT是一种绝缘栅双极晶体管，是由BJT和MOS构成的全控压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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2、什么是IGBT管?有什么作用?怎样判断好坏?IGBT管是MOS管(场效应管)和双极达林顿管的组合。普通场效应晶体管只能在较弱的驱动电压下工作，但由于其内阻大、发热快，很难长时间工作在高电压、大电流状态。大功率达林顿管虽然可以在高电压大电流下长时间工作，但需要较大的驱动电流。场效应管用作推管，大功率达林顿管用作输出管。这样就把两者的优点有机地结合到了现在的IGBT管中，功率在1000W W以上，IGBT管有:P型、N型、有阻尼和无阻尼。普通IGBT管的针脚排列，针脚朝下，标准型号面向自身。从左到右数，一脚:栅极(G)，二脚:集电极(C)，三脚:发射极(E)。测量前，将三个管脚短接(放电)，用红笔接C极，黑笔接E极，测量指针表1档Gc和ge的电阻值到无穷大。如果测得值约为3.5K，则该管含有阻尼二极管，如果测得值约为50K，则无阻尼。
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