20N20的电参数为:连续二极管正向电流20A，漏源电压200V，二极管正向压降1.5V，反向恢复时间158NS,在实际电路中，由于变压器的漏电感，VDS的值会比这个值高,20N20的门阈值电压为30V，静态漏源on电阻RDS为0.18ω,此图为《电子技术基础》模拟部分中一个NMOS管的图图中的开启电压Vt(即删除源之间的电压2V)。
对于单端正向电路，VDS与设计过程中采用的最大占空比有关。因为要考虑变压器磁通平衡。所以退磁的伏秒积等于励磁的伏秒积。那么*=VIN*Dmax这是VDS的理论最小值。在实际电路中，由于变压器的漏电感，VDS的值会比这个值高。对于双端正激电路，由于电路结构的箝位设计，理论上VDS等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。
此图为《电子技术基础》模拟部分中一个NMOS管的图图中的开启电压Vt(即删除源之间的电压 2V)。我查了基本成分“当VGS大于电子管的开启度电压VTN(。
20N20是一款具有三个引脚的低功耗场效应晶体管，采用TO-220F封装。20N20的脉冲二极管正向电流为72A，零栅/漏电流为10uA，其工作温度范围为-55~150摄氏度。20N20的门阈值电压为30V，静态漏源 on电阻RDS为0.18ω。20N20的电参数为:连续二极管正向电流20A，漏源 电压 200V，二极管正向压降1.5V，反向恢复时间158NS。
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