更换时，只要参数大于其MOS管，就可以更换，如IRFZ48、IRFP044、IRFP054、IRFP064等,IRFP448是N-MOS管，500v，11a，180w，同样参数的型号是BUK437-500A,irfz44V不是三极管，是V-MOS场效应晶体管。
irfz44V不是三极管，是V-MOS场效应晶体管。更换时，只要参数大于其MOS管，就可以更换，如IRFZ48、IRFP044、IRFP054、IRFP064等。IRFZ44V的内部电路图和参数如下:N沟道大功率MOS晶体管(场效应晶体管)ID=55APD=83WVDS=60VRDS=16.5m场效应晶体管是场效应晶体管的简称，由于它只依靠半导体中的多数载流子导电，所以又称为单极场效应晶体管。它是一种常见的压控半导体器件，利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流。场效应晶体管不仅具有双极晶体管体积小、重量轻、寿命长的优点，而且输入回路内阻高达107 ~ 1012ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗比后者小。这些优点使其自20世纪60年代诞生以来，广泛应用于各种电子电路中。
我帮你查了资料。器件数据表显示漏极耗散功率Pd约为170W，比3205小一点。但实际使用中，这款器件的封装散热量高于3205，估计这170W更实在。很多器件给出的功率都是在非常理想的条件下获得的，一般是达不到的。
IRFP448是N-MOS管，500 v，11a，180 w，同样参数的型号是BUK437-500A。功率较高的型号有IRFP15N60L - 600V，15A，220W 15a，220W，IRFP15N50L - 500V，16A，220W 16a，220w，IRFP21N60L - 600V，21A，330W 21a，330W。
4、场效应管的型号第一种和双极晶体管一样，第三个字母J代表结型场效应晶体管，O代表绝缘栅场效应晶体管。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；c是n型硅p沟道，例如，3DJ6D是结型P沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。第二种是CS××#，其中CS代表场效应管，××用数字代表型号序号，#用字母代表同一型号中的不同规格，如CS14A、CS45G等。场效应晶体管是场效应晶体管的简称，主要有两种类型和金属氧化物半导体场效应晶体管。多数载流子传导也称为单极晶体管，属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107 ~ 1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者，场效应晶体管(FET)是一种通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，因此而得名。因为它只通过半导体中的多数载流子导电，所以也被称为单极晶体管。
