但是IGBT不这么理解，比如耐压1200V的IGBT，一般工作在母线电压600V以下的电路中，留出1倍以上的余量驱动电压：由于IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断,IGBT管是电压控制还是电流控制啊,其额定电压的大小是衡量什么的,,额定电压：就是正常工作时的电压。
额定电压：就是正常工作时的电压。但是IGBT不这么理解，比如耐压1200V的IGBT，一般工作在母线电压600V以下的电路中，留出1倍以上的余量驱动电压：由于IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断
在手册上是“DCcollectercurrent”，符号是Ic,nom，这就是标定电流或者额定电流，如果你要在IGBT的电流上找一个最主要的参数，就是它了。需要注意的是这个参数是和结温关联的，有些是100℃，有些是80℃，还有75℃的。既然开始关注IGBT了，建议自己在网上找入门资料，这个过程很重要。在应用上IGBT的参数几乎都很重要，真正熟悉是个比较长的过程，加油
IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护，具有场效应管输入电流小的特点，同时又具有双极性晶体管电流密度高电压降比较小的特点，常用于电磁炉变频器等场合。是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低
4、IGBT管是电压控制还是电流控制啊?IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。从外部使用的角度来看属于电压控制，但其内部的双极晶体管还是电流驱动。你到百科中查IGBT条目可以详细了解
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