霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起着重要的作用,金属的霍尔效应是美国物理学家霍尔在1879年发现的,利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度,根据霍尔效应原理，霍尔器件可用于磁场和功率测量，也可做成开关元件，广泛应用于自动控制和信息处理,霍尔元件是应用了霍尔效应的半导体。
霍尔传感器是在交变磁场通过时产生输出电压脉冲的传感器。脉冲的幅度由激励磁场的场强决定。因此霍尔传感器不需要外部电源。
霍尔元件是应用了霍尔效应的半导体。它通常用于测量电机中的转子速度，如录像机的磁鼓和计算机的冷却风扇。它是一种基于霍尔效应的磁传感器，已经发展成为多种磁传感器产品，并得到了广泛的应用。所谓霍尔效应是指当磁场作用于载流金属导体和半导体中的载流子时，产生横向电势差的物理现象。金属的霍尔效应是美国物理学家霍尔在1879年发现的。当电流通过金属箔时，如果在垂直于电流的方向施加磁场，金属箔的两侧就会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的更明显，而铁磁金属在居里温度以下会表现出非常强的霍尔效应。
3、 霍尔效应有什么应用?1879，霍尔在研究磁场中有电流的导体的应力时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生电动势，这种电磁效应称为“霍尔 effect”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究，霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起着重要的作用。迄今为止，对霍尔效应的测量仍然是研究半导体性质的重要实验方法，利用 霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。利用 霍尔联合测量系数和电导率可以用来研究半导体的导电机制和散射机制，进一步确定半导体的迁移率、带隙宽度和杂质，通过测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体带隙、杂质电离能和迁移率的温度特性。根据霍尔效应原理，霍尔器件可用于磁场和功率测量，也可做成开关元件，广泛应用于自动控制和信息处理。
